شبه موصل

تصنيع المعادن الورقية، والتصنيع باستخدام الحاسوب CNC، والتشكيل بالحقن، والختم لها تطبيقات متنوعة في صناعة شرائح السيليكون:
تطبيقات صنع المعادن الورقية:
في إنتاج شرائح السيليكون، يتم استخدام تصنيع المعادن الورقية على نطاق واسع لإنتاج أغلفة دقيقة ومكونات هيكلية لمعدات مثل غرف الشفط المستخدمة في أنظمة التنظيف، والأغلفة الوقائية لأجهزة النقل الضوئي، وأغلفة وحدات نقل الوافر. يضمن هذا العملية إنشاء أجزاء فائقة النقاء، مقاومة للتآكل، ومتوافقة مع الفراغ لتلبية المتطلبات الصارمة للبيئات النظيفة لصناعة شرائح السيليكون.
تطبيقات التصنيع باستخدام الحاسوب CNC:
المعالجة باستخدام CNC ضرورية لتصنيع المكونات ذات الدقة العالية في معدات إنتاج شرائح السيليكون، بما في ذلك الأقراص الثابتة الكهروستاتيكية، وصفائح توزيع الغاز لمفاعلات البلازما، وأدوات التحديد المستخدمة في أنظمة التعامل مع الوافر. وبفضل تحملات على مستوى الميكرون والأشكال الهندسية المعقدة، تضمن تقنية CNC الدقة والتكرار اللازمين للعمليات النانوية لشرائح السيليكون، مما يؤثر بشكل مباشر على إنتاجية الرقائق وجودتها.
تطبيقات تشكيل بالحقن:
تلعب عملية تشكيل الحقن دورًا حيويًا في إنتاج المكونات البلاستيكية المتخصصة لأجهزة وتعبئة شرائح السيليكون، مثل أغطية مآخذ اختبار IC، والعوازل الموصلة لمعدات الاختبار الآلية (ATE)، والأغلفة الحامية لوحدات المستشعرات. تتيح هذه العملية إنتاج كميات كبيرة من الأجزاء المستقرة بُعدياً والتي تتميز بخصائص عزل كهربائي ممتازة، مما يدعم متطلبات تصغير الحجم والأداء العالي التردد للمواد الإلكترونية الحديثة.
تطبيقات الطبع:
تُستخدم عملية ختم المعادن بشكل واسع في تغليف وتجميع شرائح半导体، لإنتاج الإطارات الرائدة لتشريب الشرائح، وأشرطة التản الحرارة لأغراض إدارة الحرارة، والأقنعة المعدنية الدقيقة لترتيب كرات اللحام. يضمن عملية الختم السريعة إنتاج ميزات دقيقة الحجم بتكاليف منخفضة مع الحفاظ على الاتساق عبر ملايين المكونات، وهو أمر حاسم لعمليات تغليف الشريحة Semiconductor الكبيرة.
بشكل عام، تشكل هذه العمليات التصنيعية المتقدمة العمود الفقري لتطوير تقنية semiconductor، مما يمكّن من إنشاء حلول دقيقة للغاية، وموثوقة وقابلة للتوسع لتجهيز معدات wafer، أنظمة تغليف الشرائح، وتصنيع الأجهزة الإلكترونية. يدفع اندماجها الابتكار المستمر في أداء وفعالية إنتاج semiconductors.